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国家集成电路产业投资基金三期(下称“国家大基金三期”)已于5月24日注册成立,注册资本3440亿

放大字体  缩小字体 发布日期:2024-05-27 查看手机版   浏览次数:2222
据第一财经等媒体报道,国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司(下称国家大基金三期)已于5月24日注册成立。该事件标志着半导体领域的国家大基金的第三期正式落地。1. 规模:第三期注册资本3440亿,而
 据第一财经等媒体报道,国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司(下称“国家大基金三期”)已于5月24日注册成立。该事件标志着半导体领域的国家大基金的第三期正式落地。
 
1. 规模:第三期注册资本3440亿,而2014年的一期是987亿,2019年的二期是2042亿,第三期比前两期总和都要多,也比之前预期的3000亿稍微高一点。考虑后期1:3-1:4的投资杠杆,第三期大基金将撬动超过1万亿的半导体领域投资额。
 
2. 发起人:三期的发起人包括财政部、国开行、五大行及北京、上海、深圳国资背景的19位股东共同持股,其中占比4%以上的新面孔主要是五大行——工农中建交,总投资1060亿,几乎是总规模的三分之一。相比二三期,这次发起人中地方产业资本相对少了(只剩北上广深),但五大行的大举加入体现了政策自上而下的推动。
 
3. 投向猜测:一期已经结束了,并且已经处于退出阶段,从数据来看,一期大基金最终投资1387亿,其中制造67%、设计17%、封测10%、设备材料6%,总计撬动了约5000亿投资。一期重点是投向了制造环节,为半导体的国产替代做准备,为中芯国际、长江存储等核心公司后来的成长奠定了基础。
 
二期是2019年成立的,目前已经处于加速投资阶段,截止到今年3月,已经累计投资了600亿,与一期相比,二期更加关注半导体设备、材料、EDA等上游领域,尤其是原先技术空白的环节,二期相当于更精细化,进一步巩固了全产业链的国产替代。
 
从脉络上看,三期投向大概率是进一步精细化,聚焦重点,巩固国产替代(以下均为猜想)。
 
其一,关键技术的突破,包含核心设备、材料,比如当下的7nm、5nm制程及其相关的光刻机、光刻胶;
 
其二,和AI相关技术的突破,尤其是AI芯片和HBM环节,这两个是目前国产算力底座的瓶颈;
 
其三,已突破核心技术的扩产,重点大概率是存储,业内也一直预期后续长江和长鑫存储将大规模扩产。
 
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